讲座题目：A型反铁磁拓扑材料中自发极化的层霍尔效应及C=1/2宇称反常态

时间：2026年5月23日（周六）下午15:00

地点：C107

报告人：齐世飞 教授

报告人简介：齐世飞，河北师范大学物理学院教授和博士生导师，主要从事自旋电子学相关的计算模拟研究，近期围绕磁性拓扑绝缘体中空间分辨霍尔效应的高温及高精度量子化开展研究工作。以第一或通讯作者在Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., Chin. Phys. Lett.等期刊发表论文50 余篇。主持并完成国家自然科学基金项目2 项，省自然科学基金项目3 项。此外参与了国家重点研发计划和国家自然科学基金重点项目。2013年获评山西省高等学校青年学术带头人，2014年入选山西省高等学校131领军人才。获2016年度山西省科学技术奖自然科学二等奖。

讲座内容：

层霍尔效应是磁性拓扑材料中由层锁定Berry曲率诱导的一类新型输运现象，其核心在于不同原子层或表面可以携带相反的Berry曲率和横向霍尔响应。围绕这一方向，报告人及合作者近年来开展了一系列理论研究，系统探索了层霍尔效应在反铁磁拓扑材料、范德瓦尔斯异质结构以及内禀结构不对称磁性拓扑绝缘体中的实现机制。主要包括铁磁性拓扑材料中的量子反常层霍尔效应、非补偿反铁磁异质结构中自发极化的层霍尔效应、全补偿反铁磁体系中增强的层霍尔效应与C=1/2宇称反常态。这些研究揭示了层自由度、磁序、结构对称性与拓扑表面态之间的内在关联，为实现层分辨拓扑输运和低耗散层电子学器件提供可能的理论方案。

欢迎广大师生参加!

理学院

2026年5月19日